特許
J-GLOBAL ID：200903027233319407
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287775
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129223
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体装置の配線形成工程において、異物発生の少ない単純な工程により、優れたバリアメタルを形成する。【構成】半導体基板101の上方に、高融点金属膜を堆積した後、窒素プラズマによって前記高融点金属膜を窒化後104、酸素プラズマによって窒化された前記高融点金属膜表面に高融点金属の酸化膜105を形成する。これで2層構造のバリアメタルが形成される。その後、低抵抗の金属膜106を堆積、パターニングして、配線が完成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜を窓明けしてコンタクトホールを形成する工程、前記コンタクトホールの内面及び前記層間絶縁膜上に高融点金属を堆積する工程、前記高融点金属を窒素プラズマにより窒化し、金属窒化層に変化させる工程、前記金属窒化層の表面に、酸素プラズマによって金属酸化層を形成する工程、前記金属酸化層上に、低抵抗の金属膜を堆積する工程、より成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/283
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
