特許
J-GLOBAL ID：200903027240205557
シリコン系薄膜のスパッタリング成膜方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148258
公開番号（公開出願番号）：特開平8-012316
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：
【要約】【目的】成膜速度の高速化と、高純度な薄膜形成と、異常放電の発生防止とが同時に実現できるシリコン系薄膜のスパッタリング成膜方法を提供する。【構成】500Ω・cm以上の比抵抗を有するシリコンをターゲット材料8に用い、成膜室の内部に形成されるプラズマ4を、シート形状として、該成膜室内に配置された基体10の表面上にシリコン系薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン系薄膜のスパッタリング成膜方法において、500Ω・cm以上の比抵抗を有するシリコン(Si)をターゲット材料に用い、該シリコンターゲットに直流バイアスを印加しながら、成膜室の内部に形成されるプラズマを、該シリコンターゲットの表面と略平行に位置するシート形状とし、該成膜室内に配置された基体の表面上にシリコン系薄膜を形成することを特徴とするシリコン系薄膜のスパッタリング成膜方法。
IPC (4件)：
C01B 33/02
, C03C 17/09
, C23C 14/14
, C23C 14/35
