特許

J-GLOBAL ID：200903027243544956

エピタキシャルウェーハ及び黄色発光ダイオード

発明者： 細川 泰男 ,  小田原 道哉 ,  奥山 峯夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-161246
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005918
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 発光波長580〜630nmの黄色〜赤色に発光し、屋外でも使用可能な高輝度のLEDを提供すること。【構成】 GaP基板上に格子定数の異なる(AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0≦X≦1、0≦Y≦1)系材料を使用したDH構造エピタキシャル層を結晶成長し、DH構造部分各層のキャリア濃度を最適な範囲に制御することによって、当該ウェーハを使用して作製したLEDにおいて、発光領域に印加された電流が効率良く光に変換され従来より高輝度の黄色〜赤色LEDが得られる。【効果】 (AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0≦X≦1、0≦Y≦1)系材料を使用したDH構造部分各層のキャリア濃度を最適な範囲に制御することにより、発光領域に印加された電流が効率良く光に変換され、屋外でも使用可能な黄色〜赤色の高輝度LEDを得ることができる。

請求項（抜粋）：

GaP半導体基板上に基板と異なる格子定数を有する半導体のダブルヘテロ構造(以下DH構造と称す)を持つエピタキシャルウェーハにおいて、下側クラッド層は結晶組成が(AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0.15≦X≦0.50、0.55≦Y≦0.70)で表され、導伝型がn型であり、そのキャリア濃度が6×1017cm-3〜9×1017cm-3の範囲内にあり、活性層は結晶組成が(AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0≦X≦0.25、0.55≦Y≦0.70で表され、導伝型がp型であり、そのキャリア濃度が8×1017cm-3〜2×1018cm-3の範囲内にあり、上側クラッド層は結晶組成が(AlXGa1-X )Y In1-Y P(0.15≦X≦0.50、0.55≦Y≦0.70)で表され、導伝型がp型であり、そのキャリア濃度が8×1017cm-3〜2×1018cm-3の範囲内にあることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-296677