特許
J-GLOBAL ID：200903027244178996
ディプレッション型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181462
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026761
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 P型拡散領域の間隔の低減及びパターニング工程での目ずれの考慮をなくす。【解決手段】 N型シリコン基板1の表面に断面がU字型の溝11が形成されている。このU字型溝11の内周面はゲート酸化膜5で被覆されていて、ゲート酸化膜5上にはゲート電極6が形成されている。また、U字型溝11の外側のN型シリコン基板1の表面にはP型拡散領域2およびN型拡散領域3がこの順で積層形成されており、このP型拡散領域2に前記U字型の溝11の側壁に沿ってチャネル領域4となるN型領域が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に断面がV字型あるいはU字型の溝が形成され、前記V字型あるいはU字型の溝の側壁に沿ってドレイン領域、チャネル領域、ソース領域がこの順で積層形成され、前記チャネル領域が縦方向に前記ソース領域と同じ導電型で形成されている縦型MOSFETを構成するディプレッション型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 B
