特許

J-GLOBAL ID：200903027249543323

シリコン系薄膜光電変換装置

発明者： 多和田 裕子 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034453
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232234
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 開放端電圧の低下や生産歩留りの低下を招くことなく、光閉じ込め効果による光電変換特性が改善されたシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 基板(1)上に順次積層された透明電極(10)と、一導電型層(111)、結晶質シリコン系光電変換層(112)および逆導電型層(113)を含む光電変換ユニット(11)と、光反射性金属電極(202)とを有するシリコン系薄膜光電変換装置であって、透明電極(10)は表面凹凸構造をなし、凹凸の高低差が10〜100nmであり、凹凸のピッチが凹凸の高低差より大きくかつその25倍以下である。

請求項（抜粋）：

基板上に順次積層された透明電極と、一導電型層、結晶質シリコン系光電変換層および逆導電型層を含む光電変換ユニットと、光反射性金属電極とを具備したシリコン系薄膜光電変換装置において、前記透明電極は表面凹凸構造を有し、前記凹凸の高低差が10〜100nmであり、前記凹凸のピッチが前記凹凸の高低差より大きくかつその25倍以下であることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/107 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 31/10 B ,  H01L 31/04 M

Fターム (21件)：

5F049MB03 ,  5F049MB04 ,  5F049MB05 ,  5F049QA06 ,  5F049QA07 ,  5F049SE02 ,  5F049SE05 ,  5F049SE11 ,  5F049SE12 ,  5F049SE16 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CB29 ,  5F051DA17 ,  5F051FA02 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23