特許
J-GLOBAL ID：200903027255991931

半導体部品におけるバンプ電極の形成方法

発明者：
上田 茂幸

上田 茂幸 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057096
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267963
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体部品5における電極パッド5aに対して、金等の金属製のバンプ電極3bを、前記半導体部品5にヒロックを成長することなく、低コストで形成する。【構成】 転写板1の表面に、金属ペースト3を、スクリーン印刷によってタブレット状に塗着して、次いで、このタブレット状の金属ペースト3aを、前記転写板1上において加熱・焼成することによってバンプ電極3bに形成したのち、このバンプ電極3bを、前記転写板1から半導体部品5における電極パッド5aに転写・接合する。
請求項（抜粋）：
耐熱性を有する転写板の表面に、金ペースト又は銀ペースト等の金属ペーストを、スクリーン印刷によってタブレット状に塗着して、次いで、このタブレット状の金属ペーストを、前記転写板上において加熱・焼成することによってバンプ電極に形成したのち、このバンプ電極を、前記転写板から半導体部品における電極パッドに転写・接合することを特徴とする半導体部品におけるバンプ電極の形成方法。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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