特許
J-GLOBAL ID：200903027256289319
樹脂封止形半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井ノ口 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075429
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243456
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子を樹脂で封止してなる樹脂封止形半導体装置において、半導体装置の専有面積を小さくすることにより実装密度を上げるとともに多電極化に対応させる。【構成】 半導体素子1上に導電体7で回路を形成した絶縁基板8を貼付または溶着し、半導体素子1上の電極4と絶縁基板8上の導電体7とを金属細線5により接続する。この構成体の導電体7の一部またはすべてを露出させて樹脂6によって封止する。これにより半導体装置の専有面積を小さくして実装密度を上げることを可能にするとともに導電体7の微細加工性を可能とし多電極とすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子を樹脂で封止してなる樹脂封止形半導体装置において、絶縁基板上に導電体で回路を形成した構成体を前記半導体素子に貼付または溶着し、前記半導体素子上の電極と前記導電体を金属細線で接続し、前記導電体の一部または全部が外部に露出するように樹脂で封止するように構成したことを特徴とする樹脂封止形半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/50
, H01L 23/02
, H01L 23/12
, H01L 23/28
