特許

J-GLOBAL ID：200903027256949335

半導体デバイス用シリコンウェーハおよびその製造方法

発明者： 平 塚 八 郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-187777
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045625
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハ起因のデバイス歩留りの低下を防止し、信頼性を維持することができる半導体デバイス用シリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。【構成】 初期酸素濃度10.0〜16.0×1017原子/cm3 (旧ASTM換算)のシリコンウェーハに対して行った二段階の熱処理、すなわち600〜800°Cで2〜6時間加熱後、1000°C以下で10〜20時間加熱する、の前後の酸素減少量が、1×1017原子/cm3 (旧ASTM換算)未満であることを特徴とする、半導体デバイス用シリコンウェーハ、および、初期酸素濃度10.0〜16.0×1017原子/cm3 のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気下1000〜1200°Cで30〜300秒間加熱することにより、上記特性値を有するシリコンウェーハを得ることを特徴とする、半導体デバイス用シリコンウェーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

初期酸素濃度10.0〜16.0×1017原子/cm3 (旧ASTM換算)のシリコンウェーハに対して行った二段階の熱処理、すなわち600〜800°Cで2〜6時間加熱後、1000°C以下で10〜20時間加熱する、の前後の酸素減少量が、1×1017原子/cm3 (旧ASTM換算)未満であることを特徴とする、半導体デバイス用シリコンウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/324 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/322