特許
J-GLOBAL ID：200903027259281092
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
住吉 多喜男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221863
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078769
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造装置の対向電極に配設される分散板へ供給するガス流速分布、ガス流の方向を均一化することにより、電極の分散板からのガス放出量の均一性を改善し、均一性に優れたプラズマの発生を可能とする。【構成】 真空室50内に配設される対向電極60は、テ-ブル65側を開放面とし、ガス供給手段66に連結する筐体62と、筐体62の開放面に配設する分散板64とを有し、筐体62の奥行き寸法dは筐体62の内径寸法の30%以上の寸法とする。ガス供給手段66から空室68内に供給されたガスは、筐体62の内径寸法の30%以上の寸法の直径方向に流れる。さらに分散板64付近まで流下したガスは分散板64の中心付近での圧力と、分散板64の周辺部分での圧力との差が小さくなり、分散板64からほぼ均一化されたガスが放出され、グロ-放電時、均一性に優れたプラズマが発生する。
請求項（抜粋）：
真空室内に配設される対向電極と、対向電極に対応して真空室内に配設される被処理体を載置するテ-ブルとを有し、対向電極を介して真空室内にガスを供給すると共に、対向電極とテーブルの間でグロー放電を発生させ、テーブル上に載置された被処理体を処理する半導体製造装置において、前記対向電極はテ-ブル側を開放面とすると共に、開放面に対向する面をガス供給手段に連絡する筐体と、均等ピッチで穿孔された通過孔を有し、筐体の開放面に配設する分散板と、筐体と分散板とで形成する空室とを備え、前記空室の奥行き寸法は筐体の内径寸法、あるいは対角線寸法の30%以上の寸法とした半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/50
, H01L 21/3065
