特許

J-GLOBAL ID：200903027259855900

配線基板およびその実装構造

発明者： 前田 和孝
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278091
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102492
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】パッケージと外部回路基板との熱膨張差に起因して接続部に発生する熱応力を低減し、外部回路基板と長期に強固で安定な接続状態を維持でき、低背化およびランド部の高密度化が可能な配線基板とその実装構造を提供する。【解決手段】半導体素子4がフリップチップ実装されたセラミックス絶縁基板1と、絶縁基板1の裏面にランド部3と、メタライズ配線層2とを具備してなるパッケージなどの配線基板Aを、外部回路基板Bの絶縁体8上のランド部9にロウ材7によって接着してなる配線基板の実装構造において、絶縁基板1をE×t3≦30(GPa・mm3 )(式中、E:絶縁基板のヤング率(GPa)、t:絶縁基板の厚み(mm))を満たす低剛性とし、絶縁基板1と絶縁体8との熱膨張差を10ppm/°C以下、ランド部3、9間のロウ材7の厚みを0.3mm以下とする。

請求項（抜粋）：

一方の表面に半導体素子がフリップチップ実装されたセラミックス絶縁基板と、該絶縁基板の他方の表面に設けられた複数の第1のランド部と、前記半導体素子と前記ランド部とを電気的に接続するためのメタライズ配線層とを具備し、前記ランド部表面にロウ材を印刷塗布してなる配線基板において、前記絶縁基板が、E×t3 ≦30(GPa・mm3 )(式中、E:絶縁基板のヤング率(GPa)、t:絶縁基板の厚み(mm))を満たすことを特徴とする配線基板。

IPC (6件)：

H01L 23/15 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/14 ,  H05K 1/18

FI (6件)：

H05K 1/03 610 D ,  H05K 1/14 A ,  H05K 1/18 L ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 C

Fターム (17件)：

5E336AA04 ,  5E336BB02 ,  5E336BB18 ,  5E336CC58 ,  5E336EE01 ,  5E336EE05 ,  5E344AA01 ,  5E344AA22 ,  5E344BB02 ,  5E344BB06 ,  5E344BB08 ,  5E344CC19 ,  5E344CC23 ,  5E344CD09 ,  5E344DD02 ,  5E344EE06 ,  5E344EE30