特許

J-GLOBAL ID：200903027270792562

強誘電体キャパシタおよび半導体記憶装置

発明者： 芦田 裕
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043840
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242405
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】信頼性、特性にすぐれた強誘電体膜キャパシタやそれを用いた半導体記憶装置を得る。【解決手段】強誘電体膜キャパシタのキャパシタ絶縁膜として、ZrとTiを構成材料として含む強誘電体物質に、MnをZr、TiおよびMnの合計の原子量に対して0.6mol%以上2mol%以下の範囲で添加した強誘電体膜を用いる。

請求項（抜粋）：

ZrとTiを構成材料として含む強誘電体物質に、MnをZr、TiおよびMnの合計の原子量に対して0.6mol%以上2mol%以下の範囲で添加した強誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として用いることを特徴とする強誘電体キャパシタ。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371