特許
J-GLOBAL ID：200903027280824632
積層薄膜機能素子、磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、および磁気再生装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-280670
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102657
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 上下のfcc強磁性層とのミスフィットを低減し、原子レベルの平坦性や十分なヘテロエピタクシーを実現し、MR特性を向上させた積層薄膜機能素子および磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 該構造の電子反射・絶縁層に関し、優先配向面の表面格子の陰イオン副格子が0.29nm以下の材料12{Be系酸化物、酸化アルミニウム、窒化硼素等}を用いることで上下のfcc(111)優先配向・遷移金属合金層11とのミスフィットを10%以下に低減し、優れた平坦性とヘテロエピタクシーを得る。
請求項（抜粋）：
Fe,Co,Niの少なくとも1種を含む強磁性層、及び、{窒素、酸素、フッ素、塩素、硫黄}から選ばれる少なくとも1種以上の陰イオン元素を含む化合物層、及び、該強磁性層と該化合物層の界面を有し、該化合物層の優先配向面に概略平行に該化合物層の陰イオン副格子の最密充填面が存在することを特徴とする積層薄膜機能素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA18
, 5D034BA21
, 5D034BB02
