特許

J-GLOBAL ID：200903027281092384

半導体装置

発明者： 吉川 功
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-106732
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311901
出願日： 2003年04月10日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】誘導負荷状態で、小電流通電状態でもターンオフ時間を短くできるバイポーラ型で自己消弧型の半導体装置を提供すること。【解決手段】活性領域を単位活性領域2に分割し、これらの単位活性領域を大きい活性領域7を構成するグループと小さい活性領域8を構成するグループに分ける。ターンオフ時のコレクタ電流が小さいときには、小さい活性領域8のみ動作させ、ターンオフ時に掃き出されるキャリア量を少なくすることで、誘導負荷状態でのターンオフ時間の短縮化を図る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成される大きさが異なる複数個の活性領域と、該複数個の活性領域の第1主面に一括形成される第1主電極と、各活性領域にそれぞれ形成される制御端子と、前記前記複数個の活性領域の第2主面に形成される第2主電極とを具備し、遮断時の主電流が大きいときは、大きな活性領域の制御端子に送られた制御信号で大きな活性領域を動作させ、該主電流が小さいときは、小さな活性領域の制御端子に送られた制御信号で小さな活性領域を動作させることで、主電流の大きさに応じて動作する活性領域の大きさを変化させることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/744 ,  H01L29/749

FI (9件)：

H01L29/78 655E ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 658H ,  H01L27/08 101B ,  H01L29/74 C ,  H01L29/74 601A

Fターム (9件)：

5F005AE09 ,  5F005AF02 ,  5F005AG03 ,  5F005CA01 ,  5F005GA01 ,  5F082AA40 ,  5F082BC03 ,  5F082DA02 ,  5F082FA01