特許
J-GLOBAL ID:200903027282307660
発光素子
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-331374
公開番号(公開出願番号):特開平5-145118
出願日: 1991年11月19日
公開日(公表日): 1993年06月11日
要約:
【要約】【目的】 同一チップサイズにおいてより高輝度化を図り得る上部電極及び素子構造を提供すること。【構成】 発光素子1の表面に十字型の帯状上部電極3が形成され、該上部電極3の側辺30に沿って発光素子の一部を表面から垂直方向に除去した切欠部10を設け、該切欠部10においてPN接合層2を表出させてなる。電極直下のPN接合層2で生じた光を自己吸収なしに取り出せるので、発光素子の高輝度化が図れる。
請求項(抜粋):
発光素子の表面に帯状の上部電極が形成され、該帯状上部電極の側辺に沿って発光素子の一部が表面から垂直方向に除去された切欠部を有し、該切欠部においてPN接合層が表出していることを特徴とする発光素子。
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