特許
J-GLOBAL ID：200903027289730720
半導体装置の側面コンタクトの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244349
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167651
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【課題】 側面コンタクト時形成される自然酸化膜を導電物質に変質させてコンタクト抵抗を減少させ得る半導体装置の側面コンタクトの形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板51上に第1絶縁膜53、第1導電膜55、第2絶縁膜57をこの順番で積層し、第2絶縁膜57、第1導電膜55及び第1絶縁膜53を蝕刻して第1導電膜55の側面が露出されるコンタクトホ-ルを形成する。次に、コンタクトホ-ルの形成された基板51の全面に耐火金属膜59を形成し、耐火金属膜59上にコンタクトホ-ルを埋め立てるように第2導電膜61を形成したのち、第1導電膜55の側面に形成されている自然酸化膜54を導電物質に変質させる。これにより、半導体装置のコンタクト抵抗を減少させることができ、コンタクトを安定させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1絶縁膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜上に第1導電膜及び第2絶縁膜を形成する段階と、前記第2絶縁膜、前記第1導電膜及び前記第1絶縁膜を蝕刻し、前記第1導電膜の側面が露出されるコンタクトホ-ルを形成する段階と、前記コンタクトホ-ルの形成された基板の全面に耐火金属膜を形成する段階と、前記耐火金属膜上に前記コンタクトホ-ルを埋め立てるように第2導電膜を形成する段階と、前記第1導電膜の側面に形成されている自然酸化膜を導電物質に変質させる段階とを含むことを特徴とする半導体装置の側面コンタクトの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 27/10 371
