特許

J-GLOBAL ID：200903027297054040

半導体装置

発明者： 江部 広治 ,  村上 聡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-272440
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139174
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に形成された異種の半導体層が溝によって複数の素子領域層に分離されている半導体装置に関し、基板上の半導体層が基板と異なる種類の場合でも、熱膨張係数の違いによるクラックの発生を抑制する。【構成】 基板21上に形成された半導体層からなる複数の素子領域層22と、隣接する素子領域層22の間の領域に形成された溝23と、隣接する素子領域層22を一部領域で互いに連結する連結部24とを有し、複数の連結部24の並びは一箇所以上で屈曲し、又は溝23により途中で途切れていることを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体層からなる複数の素子領域層と、隣接する前記素子領域層の間の領域に形成された溝と、隣接する前記素子領域層を一部領域で互いに連結する連結部とを有し、複数の前記連結部の並びは一箇所以上で屈曲し、又は前記溝により途中で途切れていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 31/0264

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 31/08 N