特許

J-GLOBAL ID：200903027314276524

銅の拡散を抑制した構造の半導体装置とその製造方法、及び拡散した銅の検出方法

発明者： 梶 成彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-035298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235977
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】銅の拡散を抑制した構造の半導体装置において、低誘電率で、有機銅錯体を形成する能力を持つ有機化合物を層間膜に用いた半導体装置の構造およびその製造方法と、層間膜中に拡散したの銅の検出方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子の形成された基板1と、半導体素子の形成された基板1上に形成された有機銅錯体を形成する能力を持つ有機化合物膜6と、有機化合物膜6内に配設された銅配線3とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

銅配線を有し半導体素子の形成された基板と、前記基板上に形成され前記銅配線を覆い、有機銅錯体の形成能力を持つ有機化合物を含む層間膜を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  G01N 21/27 ,  G01N 21/64 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

H01L 21/88 M ,  G01N 21/27 Z ,  G01N 21/64 Z ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/88 S

Fターム (59件)：

2G043AA01 ,  2G043BA01 ,  2G043BA14 ,  2G043CA07 ,  2G043DA02 ,  2G043EA01 ,  2G043EA13 ,  2G043GA07 ,  2G043JA01 ,  2G043LA01 ,  2G059AA01 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059CC01 ,  2G059DD01 ,  2G059EE01 ,  2G059EE07 ,  2G059JJ01 ,  2G059KK01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033XX28 ,  5F058AA10 ,  5F058AD01 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AF10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-031832   出願人：松下電子工業株式会社
• 絶縁材料、層間絶縁膜および層間絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-127656   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-355964   出願人：新日本製鐵株式会社