特許

J-GLOBAL ID：200903027320053847

半導体電極

発明者： 林 紅 ,  横尾 俊信 ,  高橋 雅英
出願人/特許権者： 株式会社関西新技術研究所
代理人 (1件)： 間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217104
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044469
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 光の照射により生成されたキャリアの再結合を抑制してキャリア生成効率を向上させることができる半導体電極を提供する。【手段】 表面に透明導電性薄膜2が形成された透明基板1上に10nm〜100nmの膜厚のTiO2の薄膜3を被着形成して半導体電極を構成した。

請求項（抜粋）：

表面に導電性薄膜が形成された基板上にTiO2薄膜を被着形成した半導体電極において、前記TiO2薄膜の厚みを10nm〜100nmとしたことを特徴とする半導体電極。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/283 ,  H01M 14/00

FI (4件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 21/283 C ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 H

Fターム (26件)：

4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F051BA11 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA18 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032EE18 ,  5H032HH04