特許
J-GLOBAL ID：200903027323501557
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072026
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326755
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 トレンチの内部で酸化膜厚さが異なる半導体装置においてその製造が容易な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【構成】 n+ 型単結晶SiC基板1は六方晶系SiC(0001)カーボン面を表面とし、基板1上にn型エピタキシャル層2とp型エピタキシャル層3が順次積層されている。p型エピタキシャル層3内にn+ ソース領域5が形成され、トレンチ6は、ソース領域5とエピタキシャル層3を貫通し半導体基板14に達し、側面がエピタキシャル層3の表面に垂直に、底面がエピタキシャル層3の表面に平行となっている。ゲート熱酸化膜7はトレンチ6の側面での膜厚に比べトレンチ6の底面での膜厚の方が厚い。トレンチ6内における熱酸化膜7の内側にゲート電極層8が、エピタキシャル層3およびソース領域5上にソース電極層10が、半導体基板14の裏面側にドレイン電極層11が形成されている。
請求項（抜粋）：
表面の面方位が(0001)カーボン面である六方晶系の単結晶炭化珪素と、前記単結晶炭化珪素に形成され、側部および底部を有するトレンチと、前記トレンチの側部および底部に形成され、かつトレンチの側部での膜厚に比べトレンチの底部での膜厚の方が厚い熱酸化膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。
FI (4件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 656 G
