特許

J-GLOBAL ID：200903027324383841

半導体超微粒子の製造方法

発明者： 齊田 壮一郎
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000646
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201470
出願日： 2001年01月05日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 優れた発光効率を有する半導体超微粒子を簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】 電気陰性度が2.0以下である陽性元素を含有する第1物質及び該電気陰性度が1.9以上である陰性元素を含有する第2物質からなる2元化合物系、あるいは単体が半導体性を有する元素を含有する物質、のいずれかである半導体原料を結晶成長させて半導体超微粒子を製造する方法において、結晶成長後、遊離した配位性有機化合物を含有する液相媒質中に保存する。

請求項（抜粋）：

電気陰性度が2.0以下である陽性元素を含有する第1物質及び該電気陰性度が1.9以上である陰性元素を含有する第2物質からなる2元化合物系、あるいは単体が半導体性を有する元素を含有する物質、のいずれかである半導体原料を結晶成長させて半導体超微粒子を製造する方法において、結晶成長後、遊離した配位性有機化合物を含有する液相媒質中に保存することを特徴とする、半導体超微粒子の製造方法。

IPC (3件)：

C09K 11/08 ,  C09K 11/54 CQD ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C09K 11/08 A ,  C09K 11/54 CQD ,  H01L 21/208 Z

Fターム (9件)：

4H001CF01 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF10 ,  5F053LL02 ,  5F053PP20 ,  5F053RR11