特許
J-GLOBAL ID：200903027324615416
半導体磁気抵抗素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141281
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340540
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 小型化可能であり、かつ素子電極の面積を有効に活用することができる半導体磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 半導体磁気抵抗膜2は半導体基板1上に形成される。素子電極6及び短絡電極4は半導体磁気抵抗膜2上に形成される。保護膜5は素子電極6及び短絡電極4上に形成され、素子電極6の一部分が露出するように形成される。引き出し電極7は素子電極6と接続され、保護膜5上に形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される半導体磁気抵抗膜と、前記半導体磁気抵抗膜上に形成される素子電極及び短絡電極と、前記素子電極及び前記短絡電極上に形成され、前記素子電極の一部分が露出するように形成される保護膜と、前記素子電極と接続され、前記保護膜上に形成される引き出し電極と、を有することを特徴とする半導体磁気抵抗素子。
FI (2件)：
H01L 43/08 S
, H01L 43/08 Z
