特許

J-GLOBAL ID：200903027335947933

半導体レーザ装置

発明者： 井戸 豊 ,  久光 守 ,  重定 頼和 ,  小林 裕 ,  樫原 稔
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048173
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263788
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ素子内の内部応力が少ない、長寿命高信頼性を有する高出力半導体レーザ装置を提供する。【構成】 ヒートシンク上にバリア層を形成するととともに、低融点ハンダ材にて半導体レーザ素子をヒートシンクのバリア層上に接合する。

請求項（抜粋）：

ヒートシンク上に半導体レーザ素子を接触させた半導体レーザ装置であって、ヒートシンクと半導体レーザ素子との間にはヒートシンクの金属が半導体レーザ素子へ拡散するのを防止するバリア層が設けられ、半導体レーザ素子が低融点ハンダにてバリア層上に接合されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-010993
  
• 特開昭55-039696
  
• 特開昭63-056945