特許

J-GLOBAL ID：200903027348210158

半導体装置の製造方法

発明者： 東條 信治 ,  金光 伸弥 ,  市原 誠一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311540
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124262
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップの突起電極とフィルム基板のリードを高精度に接続する。【解決手段】 半導体チップの突起電極とフィルム基板のインナーリードを接続する際のリードピッチの変動を考慮し、あらかじめインナーリードのピッチに補正を加える。また、液晶基板の電極とフィルム基板のアウターリードを接続する際のリードピッチの変動を考慮し、あらかじめアウターリードのピッチにも補正を加える。

請求項（抜粋）：

(a)金を含む導体からなる複数の突起電極が形成された半導体チップを用意する工程と、(b)有機樹脂を含む絶縁体からなる薄膜ベースに、前記半導体チップの複数の突起電極のそれぞれに対応する複数のリードが形成された配線基板を用意する工程と、(c)前記半導体チップに形成された前記複数の突起電極のそれぞれを、前記配線基板に形成された前記複数のリードのそれぞれに接合する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記(b)工程で用意する前記配線基板は、前記複数の突起電極のピッチが、前記複数の突起電極のそれぞれに対応する箇所における前記リードのピッチよりも大きく、前記複数のリードのそれぞれは、前記突起電極に接合される部分が、前記薄膜ベースに固着されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (4件)：

5F044KK02 ,  5F044KK17 ,  5F044MM25 ,  5F044MM26