特許

J-GLOBAL ID：200903027355412165

半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法

発明者： 根上 卓之 ,  寺内 正治 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102895
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055378
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 伝導型やキャリア濃度の制御と膜厚方向のキャリア濃度分布の制御が容易で、太陽電池の光吸収層として用いた場合に高いエネルギー変換効率と変換効率の均一性が達成し得るカルコパイライト構造半導体薄膜を製造するのに好適な半導体薄膜形成用前駆体ならびにそれを用いた半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基体1上にドーパントとなる Ia族からなる酸化物Na2O2を添加したIb族とIIIa族元素からなる酸化物薄膜2であるCu-In-O:Na2O2を堆積し、VIa族元素を含む雰囲気中( H2Seを含むArガスと水素ガス)で熱処理することにより前記ドーパントとなる元素を添加したIb族、IIIa族とVIa族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜2aであるCuInSe2 :Naを製造する。

請求項（抜粋）：

基体上に Ia族とIIa族とIIb族とVa族とVb族からなる元素群から選ばれた少なくとも一つのドーパントとなる元素と主成分となる Ib族元素及び IIIa族元素とからなる酸化物薄膜が堆積されてなる半導体薄膜形成用前駆体。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E