特許

J-GLOBAL ID：200903027357455570

半導体装置の製造方法

発明者： 浅羽 哲朗
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350207
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177072
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、チタンシリサイドを有する半導体装置の製造方法において、表面に付着した不純物を洗浄除去してから熱処理を行なうことにより、素子の信頼性を向上させ、また安価な窒素ガスによる熱処理を可能とすることにより、コストを低減させた半導体装置の製造方法を実現することにある。【構成】 チタンシリサイド層105を有する半導体装置の製造方法において、チタン層104上にシリコン層106を形成する工程と、該シリコン層106表面を洗浄する工程と、前記洗浄後に前記チタン層104をチタンシリサイド105とする熱処理工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法であり、前記洗浄はフッ酸を用いて行ない、前記熱処理は窒素ガスを用いて、700°C以上で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

チタンシリサイド層を有する半導体装置の製造方法において、チタン層上にシリコン層を形成する工程と、該シリコン層表面を洗浄する工程と、前記洗浄後に前記チタン層をチタンシリサイドとする熱処理工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/283 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P