特許
J-GLOBAL ID：200903027359798696
誘電体分離基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067097
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236615
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 ガラス層でのボイド発生を確実に防止し、反りや剥離のない信頼性の高い誘電体分離基板とその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板11の一方の面に分離用の溝12を形成し、分離用の酸化膜13を形成した後、多結晶シリコン層14を堆積する。この多結晶シリコン層14をスピンエッチングによりエッチングして溝12にのみ残して平坦化した後、スート層15を堆積し支持基板となるシリコン基板17を重ねて加熱処理してシリコン基板11と17を接合する。シリコン基板11の裏面を研磨して溝12により分離された複数の島状シリコン層11a,11b,...を形成する。
請求項（抜粋）：
支持基板上に焼結ガラス層により保持されて誘電体分離された複数の島状半導体層を有する誘電体分離基板において、前記各島状半導体層の実質的に横方向分離領域にのみ多結晶シリコン層が埋設されていることを特徴とする誘電体分離基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/76 D
, H01L 27/12 B
, H01L 27/12 F
