特許

J-GLOBAL ID：200903027360913997

焦電型赤外線センサとその製造方法

発明者： 西浦 順一
出願人/特許権者： 日本セラミック株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037578
公開番号（公開出願番号）：特開平6-281503
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 焦電型赤外線センサにおける変換効率、応答性を改善し、さらにクロストークの影響を無視できる小型のマルチエレメントセンサを実現すること、ならびに製造方法において従来の半導体技術とのマッチングを改善し、赤外線検知部の歩留まり、生産性を向上させ、安価で高性能な焦電型赤外線センサを提供する。【構成】 薄層の絶縁性の平坦な支持層とその周辺部に前記支持層より厚く形成した支持部と前記支持部を持つ支持層を保持する基板と、この支持層上に少なくとも下部電極,焦電薄膜および上部電極を積層することにより形成される赤外線検知部を備える焦電型赤外線センサ。上記焦電型赤外線センサを製造するのに、基板に除去可能な部分を形成し、その上部に平坦な支持層、及びその上部に電極,焦電材料からなる薄層,電極を形成後、前記除去可能な部分を除去する方法を用いる。

請求項（抜粋）：

薄層の絶縁性の平坦な支持層と前記支持層の周辺部に前記支持層より厚く形成した支持部と前記支持部を持つ支持層を保持する基板と、この支持層上に少なくとも下部電極,焦電薄膜および上部電極を積層することにより形成された赤外線検知部とを備えることを特徴とする焦電型赤外線センサ。