半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-181058
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031394
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜の高誘電体膜中の不要不純物を低減する。【解決手段】半導体基板に、酸化ハフニウム膜などの高誘電体膜を形成した後(ステップS1)、この高誘電体膜に対し、温度100°Cから250°C程度の低温下でオゾン雰囲気または酸素ラジカル雰囲気に晒すオゾン処理または酸素ラジカル処理を行う(ステップS2)。その後、高誘電体膜の表面にシリコン窒化膜を形成し(ステップS3)、この窒化膜上に、ポリシリコンなどのゲート電極材料を堆積する(ステップS4)。これにより、高誘電体膜中の不要不純物は酸化されるなどして除去される。さらに、この不要不純物の除去を、比較的低温で行うことで、高誘電体膜のラフネスの悪化を防止することができる。したがって、より信頼性の高い高誘電率ゲート絶縁膜を形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

高誘電体材料を用いて形成されたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に高誘電体膜を形成する工程と、形成された前記高誘電体膜をオゾン雰囲気または酸素ラジカル雰囲気に晒して前記高誘電体膜中に含まれている不要不純物を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 , H01L29/78

FI (2件)：

H01L21/316 P , H01L29/78 301G

Fターム (45件)：

5F058BA05 , 5F058BA09 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BH20 , 5F058BJ10 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BC06 , 5F140BD02 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BE17 , 5F140BE20 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG44 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-160936 出願人：富士通株式会社
特開平4-092423
インシチュ誘電体スタックの製造方法及びそのプロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-388529 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド

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