特許
J-GLOBAL ID：200903027363052178
半導体記憶素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260821
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102427
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板にウェル構造を有する半導体記憶素子の製造方法において、前記半導体基板上のウェルを形成する領域に金属をイオン注入する工程と、拡散処理を施すと同時にイオン注入した領域に選択酸化膜を形成する工程とを、少なくとも1回以上含む半導体記憶素子の製造方法。【効果】 金属をイオン注入したウェルを形成する領域を選択的に酸化し、その後酸化膜をエッチング等により取り除くことにより、他の領域に比べ半導体基板表面を低くすることができる。従って、後工程で半導体基板のこの領域にトランジスタ及びキャパシタ等が積層形成されて基板表面が高くなっても、周辺回路との段差を大幅に緩和することができる。また注入イオンの拡散処理と選択酸化膜の成長を同一工程で行うことができるので、製造工程を簡略化することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にウェル構造を有する半導体記憶素子の製造方法において、半導体基板上のウェルを形成する領域に金属をイオン注入する工程と、拡散処理を施すと同時にイオン注入した領域に選択酸化膜を形成する工程とを、少なくとも1回以上含むことを特徴とする半導体記憶素子の製造方法。
引用特許：
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