特許

J-GLOBAL ID：200903027363622462

静電破壊保護回路を有する半導体集積回路

発明者： 滝川 久美子 ,  田中 聡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999002279
公開番号（公開出願番号）：WO2000-067323
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月09日
要約：

【要約】高周波帯から低い周波数帯にわたる複数の周波数帯の入出力を持つICの静電破壊を防止する。ICの高周波部に対してダイオード接続のトランジスタを多段接続した保護回路を設ける。更に、そのトランジスタは、サイリスタ動作を防止できる絶縁物で素子間を分離したものを適用する。

請求項（抜粋）：

複数個の入出力端子を持つ集積回路において、少なくとも2種類以上の電気的特性を持つ静電破壊保護回路を有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 21/82 Z