特許
J-GLOBAL ID：200903027365265977
磁気抵抗効果膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329838
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 CrMnPt反強磁性層の組成を最適な値とし、従来にない大きな交換結合磁界が得られる磁気抵抗効果膜を提供する。【解決手段】 非磁性層を介して対向して積層されている強磁性体層の内、一方の強磁性体層に隣接して反強磁性体層が設けられている磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性体層の組成が一般式Crx Mny Ptz (x, y, z: atomic%) で表される合金からなり、このx, y, z は32≦ x≦ 50 、 36 ≦ y≦ 53 、11 ≦ z≦ 17 、 x+y+z = 100を満足するものである。
請求項（抜粋）：
非磁性層を介して対向して積層されている強磁性体層の内、一方の強磁性体層に隣接して反強磁性体層が設けられている磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性体層の組成が一般式Crx Mny Ptz (x, y, z: atomic %) で表される合金からなり、このx, y, z は32≦ x≦ 50 、 36 ≦ y≦ 53 、 11 ≦ z≦ 17 、 x+ y+ z = 100を満足することを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (3件)：
H01F 10/16
, G11B 5/39
, H01F 10/30
H01F 10/16
, G11B 5/39
, H01F 10/30
