特許

J-GLOBAL ID：200903027366955675

AlxGayIn1-x-yN結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 藤原 伸介 ,  上村 智喜 ,  岡久 拓司 ,  上松 康二 ,  奥井 学 ,  西岡 志行 ,  橋本 信
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360621
公開番号（公開出願番号）：特開2007-161536
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】半導体デバイスの基板として大型で好適な転位密度を有するAlxGayIn1-x-yN結晶基板、そのAlxGayIn1-x-yN結晶基板を含む半導体デバイスおよびその製造方法を提案する。【解決手段】主面の面積が10cm2以上であり、外周12vから5mm以下の距離にある領域を除く領域における総転位密度が1×102cm-2以上1×106cm-2以下であるAlxGayIn1-x-yN結晶基板12。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面の面積が10cm2以上であり、外周から5mm以下の距離にある領域を除く領域における総転位密度が1×102cm-2以上1×106cm-2以下であるAlxGayIn1-x-yN結晶基板(0≦x、0≦y、x+y≦1)。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01L 29/201

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01L29/201

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BE11 ,  4G077DB05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273882   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• エッチング方法および結晶性評価方法並びに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264485   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Growth and characterization of low defect GaN by hydride vapor phase epitaxy"