特許

J-GLOBAL ID：200903027370251062

第4級アンモニウム基含有多孔質ポリマーおよびその製造方法

発明者： 津野 隆治
出願人/特許権者： 荒川化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117934
公開番号（公開出願番号）：特開平11-286565
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 高い比表面積を有し、かつ、第4級アンモニウム基を1次粒子の表面またはその近傍に効率よく配列・配向した第4級アンモニウム基含有多孔質ポリマーを提供すること。【解決手段】 ジビニルベンゼンおよびビニルベンジルオキシアルキルハライド誘導体を含有するモノマー混合物を重合して得られる、比表面積が50〜600m2 /gのハロゲン基含有多孔質ポリマーのアルキルハライド部位に、第3級アミン類を作用させ、第4級アンモニウム塩を生成せしめて得られる第4級アンモニウム基含有多孔質ポリマー。

請求項（抜粋）：

ジビニルベンゼンおよび一般式(1):【化1】(式中、nは2〜16の整数を示し、Xはハロゲン原子を示す。)で表わされるビニルベンジルオキシアルキルハライド誘導体を含有するモノマー混合物を重合して得られる、比表面積が50〜600m2 /gのハロゲン基含有多孔質ポリマーのアルキルハライド部位に、第3級アミン類を作用させ、第4級アンモニウム塩を生成せしめて得られる第4級アンモニウム基含有多孔質ポリマー。

IPC (5件)：

C08J 9/00 CER ,  C08F212/14 ,  C08F212/36 ,  G01N 30/48 ,  C08L 25:00

FI (4件)：

C08J 9/00 CER Z ,  C08F212/14 ,  C08F212/36 ,  G01N 30/48 M