半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水敬一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129910
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125273
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザ装置の放熱特性及び耐酸化性を向上させる。【構成】本発明による半導体レーザ装置は、GaAs基板(21)上にAlGaInPより成る第1のクラッド層(23)と、GaInPより成る活性層(24)と、AlGaInPより成る第2のクラッド層(25)とを順次積層し、第2のクラッド層(25)に部分的に突出して尾根状クラッド層(27)を形成し、第2のクラッド層(25)上にのみ電流ブロック層(26)を形成する。電流ブロック層(26)は、厚さが0.003〜0.01μmのAl0.5In0.5Pより成る薄層と厚さが0.003〜0.01μmのAlAsより成る薄層とが交互に積層され且つ前記第2のクラッド層(25)に隣接する第1の電流ブロック層(26a)と、GaAsから成り且つ前記第1の電流ブロック層(26a)を介して前記第2のクラッド層(25)に隣接する第2の電流ブロック層(26b)とで構成され、放熱特性及び耐酸化性を向上できる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板(21)上にAlGaInPより成る第1のクラッド層(23)と、GaInPより成る活性層(24)と、AlGaInPより成る第2のクラッド層(25)とを順次積層し、該第2のクラッド層(25)を部分的に突出させて尾根状クラッド層(27)を形成し、前記第2のクラッド層(25)上にのみ電流ブロック層(26)を形成した半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層(26)は前記第2のクラッド層(25)に隣接する第1の電流ブロック層(26a)と、GaAsから成り且つ前記第1の電流ブロック層(26a)を介して前記第2のクラッド層(25)に隣接する第2の電流ブロック層(26b)とを有し、前記第1の電流ブロック層(26a)は厚さ0.003〜0.01μmのAl0.5In0.5Pより成る薄層と厚さ0.003〜0.01μmのAlAsより成る薄層とが交互に積層されて成り、前記第1の電流ブロック層(26a)の屈折率は前記活性層(24)、前記第2のクラッド層(26b)及び前記尾根状クラッド層(27)のいずれの屈折率よりも小さく、前記第1の電流ブロック層(26a)の禁制帯幅は前記活性層(24)の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする半導体レーザ装置。

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