特許
J-GLOBAL ID：200903027376849539
酸化還元型超高容量キャパシタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385082
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237430
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 新しいドーパントによりドーピングされたポリアニリンを電極活性物質に使用するために、電荷集電体に直接コーティングを施したり熱と圧力を利用して接合させて電極板を製作した後、電極とセパレータの界面抵抗を減らし、かつ工程の単純化のために、高分子電解質膜を使用して電極とセパレータが一体型である酸化還元型超高容量キャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 導電性ポリアニリン粉末を用いて生成された電極活性物質302と電荷集電体301とが接合された一体形の正極電極板と、導電性ポリアニリン粉末を用いて生成された電極活性物質302と電荷集電体301とが接合された一体形の負極電極板と、正極電極板と負極電極板との間に高分子電解質膜501を設けた。
請求項（抜粋）：
導電性ポリアニリン粉末を用いて生成された電極活性物質と電荷集電体とが接合された一体形の正極電極板と、前記導電性ポリアニリン粉末を用いて生成された電極活性物質と電荷集電体とが接合された一体形の負極電極板と、前記正極電極板と前記負極電極板との間に位置した高分子電解質膜とを含むことを特徴とする酸化還元型超高容量キャパシタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01G 9/00
, H01G 9/22
, H01G 9/24 Z
