特許

J-GLOBAL ID：200903027378835349

セラミックス多層回路基板

発明者： 久保 敏彦
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-042450
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260768
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【構成】 信号線層82を構成する絶縁基板が低誘電率ガラスセラミックス13〜17で構成され、アウターリード接合部90を構成する絶縁基板が高強度セラミックスで11〜12構成されているセラミックス多層回路基板。【効果】 アウターリード接合部リード部の破損をなくし、入出力用ピンが外れるのを防止することができるとともに、優れた伝送特性を得ることができる。

請求項（抜粋）：

LSIが2個以上搭載され、信号線層を構成する絶縁基板が低誘電率ガラスセラミックスで形成され、アウターリード接合部を構成する絶縁基板が高強度セラミックスで形成されていることを特徴とするセラミックス多層回路基板。

IPC (5件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/522 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (4件)：

H01L 23/12 K ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/52 B ,  H01L 25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-010591
  
• セラミツク回路基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182393   出願人：富士通株式会社