特許
J-GLOBAL ID：200903027378943842
金属充填方法、金属充填構造及び金属充填装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296282
公開番号（公開出願番号）：特開平11-117090
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハ等の基材表面に形成された微細な窪みの内部に十分密着力を有する状態で金属を充填できる金属充填方法、金属充填構造及び金属充填装置を提供すること。【解決手段】 表面に微細な窪みが形成された基材13の該微細な窪み14の内部を所望の金属で充填する金属充填方法において、微細な窪み14内部への金属の充填を常温より低い温度で実行する。そのため成膜装置に、成膜液溜め38、ポンプ39、フィルタ40からなる液供給系にチラー41等の成膜液を冷却する冷却手段を設けた。
請求項（抜粋）：
表面に微細な窪みが形成された基材の該微細な窪みの内部を所望の金属で充填する金属充填方法において、前記微細な窪み内部への金属の充填を常温より低い温度で実行することを特徴とする金属充填方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C25D 7/12
, H01L 21/288 Z
