特許

J-GLOBAL ID：200903027380834384

半導体装置用配線およびその製造方法

発明者： 日野出 憲治 ,  宮▲崎▼ 博史 ,  武田 健一 ,  佐久間 憲之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163282
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012614
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】配線本来の性能を損なうことなしに、剥離強度を大きくした半導体装置用配線およびプロセス上の負担が少ないその製造方法を提供する。【解決手段】銅が露出した配線15の表面に、燐、硫黄またはアルミニウムを含む領域21を形成する。燐および硫黄は拡散法により、アルミニウムはアルミニウム膜を形成してアニールすることにより、上記燐、硫黄またはアルミニウムを含む領域を銅配線の表面に形成できる。プロセス上の負担を増すことなく、配線表面に保護層を形成できる。【効果】電気抵抗が低く、各種特性が高い半導体装置用配線を、プロセス上の大きな負担なしに形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された絶縁膜上もしくは当該絶縁膜に形成された溝または開口部内に形成された、所定の形状を有し、銅若しくは銅を主成分とする銅合金の膜からなる配線において、少なくとも上記膜の上面に、燐、硫黄およびアルミニウムからなる群から選択された少なくとも一種を含む領域が形成されていることを特徴とする半導体装置用配線。