特許
J-GLOBAL ID：200903027381843328
発光ダイオードアレイのダイシング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082653
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279479
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】ダイシング時に発光部へのダメージを低減して歩留りを向上し、チップ端における発光部の発光出力の急激な低下を無くして信頼性を向上する。【構成】ウェハのチップ16間の絶縁膜5及びn型GaAsPエピタキシャル層2をエッチングして、発光部4のpn接合部18以上の深さのダイシングガイド溝15を形成する。ダイシングガイド溝15の形成は、ホトレジスト法を用いてウェハ上にダイシングガイド溝用のホトレジストパターンを形成した後、ダイシングガイド溝15となる部分の絶縁膜5をエッチングにより除去する。次いで当該部分のエピタキシャル層をエッチングしてダイシングガイド溝15を形成し、ホトレジストを除去する。しかる後に、ダイシングブレードによりダイシングガイド溝15に沿ってウェハをダイシングによって個々のチップに切り出す。
請求項（抜粋）：
多数の発光部を配列した発光ダイオードアレイチップを形成し、その上に絶縁膜を形成したウェハをダイシングによって個々のチップに切り出す際、ウェハのチップ間の絶縁膜及びエピタキシャル層をエッチングして、発光部のpn接合部以上の深さのダイシングガイド溝を形成し、しかる後に、ダイシングブレードにより前記ダイシングガイド溝に沿ってウェハをダイシングすることを特徴とする発光ダイオードアレイのダイシング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/78 L
, H01L 33/00 A
, H01L 21/78 S
