窒化物半導体、その製造方法及び窒化物半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-170110
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069159
出願日： 2002年06月11日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体を結晶成長により形成する際に、成長する窒化物半導体に生じるクラックを抑制できるようにする。【解決手段】窒化ガリウム(GaN)からなる基板11の上には、少なくともアルミニウムを含む窒化物半導体からなるファセット形成層12が形成されている。ファセット形成層12の表面にはC面から傾いたファセット面が形成されており、選択成長層13はその傾いたファセット面から横方向成長する。その結果、選択成長層13と、その上に成長するn型AlGaNからなるn型クラッド層14とを実質的に格子整合させることができ、例えば、クラックの発生がないレーザ構造を結晶成長により得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1の窒化物半導体からなる第1半導体層と、前記第1半導体層の主面上に成長により形成された第2の窒化物半導体からなる第2半導体層とを備え、前記第1半導体層と前記第2半導体層とは、前記主面に平行な面内における格子定数が互いに異なることを特徴とする窒化物半導体。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205

Fターム (28件)：

5F045AA04 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB13 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DB09 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA47 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073BA05 , 5F073CA02 , 5F073CB02 , 5F073CB06 , 5F073DA05 , 5F073EA27 , 5F073EA29

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