特許

J-GLOBAL ID：200903027389489906

半導体装置の製造装置と製造方法

発明者： 豊島 芳隆 ,  三輪 和弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243709
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111358
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体装置の製造装置と製造方法に関し、レーザ刻印した際に基板に付着するパーティクルを効果的に除去する。【構成】 基板7が載置されるステージ1と、文字又は記号を刻印する刻印手段2と、該ステージの上方に上下動可能に配設されて、下端部が該基板の該刻印領域7aと素子形成領域7bの境界に狭隙を介して近接して該素子形成領域を覆い隠す遮蔽板3とから半導体装置の製造装置を構成し、文字又は記号が刻印された基板7の裏面をスクラブ処理する工程と、引き続いて該基板の表面をスクラブ処理する工程で半導体装置の製造方法を構成する。

請求項（抜粋）：

ステージと、刻印手段と、遮蔽板を有し、前記ステージは、文字又は記号が刻印される基板が載置されるものであり、前記刻印手段は、レーザ光を発して、前記基板の刻印領域に文字又は記号を刻印するものであり、前記遮蔽板は、前記ステージの上方に上下動可能に配設されて、下端部が前記基板の前記刻印領域と素子形成領域の境界に間隙を介して近接して該素子形成領域を覆い隠すものであり、前記送気手段は、前記基板の素子形成領域の側から清浄なエアーを吹き付けて、該基板と遮蔽板との間隙から該エアーを送出するものであり、前記排気手段は、前記基板の、前記エアーに運搬された前記基板の蒸気を刻印領域の側から排出するものであることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304