特許

J-GLOBAL ID：200903027389514447

薄膜トランジスタの製造方法並びに製造装置

発明者： 山田 勝
出願人/特許権者： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204462
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054757
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性基板上に薄膜形成、加工を施す際に生じる基板の帯電によるデバイス特性の劣化、基板の割れ、欠け等を防止し、生産性を向上させ、信頼性の高い薄膜トランジスタを得る。【解決手段】 ガラス基板2上に形成された導電性薄膜配線1に電極14を介して外部から直流電流を供給し、磁場10を生成する。プラズマ中のイオン、電子は磁場10から受けるローレンツ力のために運動方向に制約を受け、この同心円状の磁場10の中に閉じこめられる。このため、プロセス条件を変更することなく、ガラス基板2近傍でのプラズマ密度を増加させることができ、ガラス基板2に蓄積された電荷が中和され、大きな除電効果が得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に導電性薄膜を形成し、この導電性薄膜に対し電極を設ける工程、上記絶縁性基板をプラズマ処理装置内に保持し、上記電極を介して上記導電性薄膜に電流を流し磁場を生成させ、上記絶縁性基板表面近傍のプラズマ密度を制御しながら、上記絶縁性基板上に所望の薄膜形成、加工を施す工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 29/78 627 Z ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B