特許
J-GLOBAL ID：200903027392737244
水又は活性水素に敏感な材料を含む層をパタ-ン化する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144389
公開番号（公開出願番号）：特開2000-029221
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】多色ディスプレイに適用できる有機ポリマーをベースとした電界発光デバイスの上面電極を正確、安全、無害にパターン化する。【解決手段】水又は活性水素に敏感な材料を含む層[14]を、熱反応活性断片から構成された高分子と光酸発生器を含むフォトレジスト層[15]で覆う。前記断片は、酸活性結合手によって結合され、前記高分子は、水又は活性酸素を含まない溶媒に可溶であり、光酸発生器は、露光され酸を放出する。前記層[14]の除去すべき領域上のフォトレジスト領域を露光し、加熱する。高分子で覆われていない領域に対する前記層[14]の部分を除去する。最後に残っている高分子[151]を前記溶媒で洗浄して残らず取除く。
請求項（抜粋）：
水又は活性水素に敏感な材料を含む層をパターン化する方法において:前記層を、所定温度に加熱されると熱反応活性となる断片から構成された高分子と光酸発生器を含むフォトレジスト層で覆うステップであって、前記高分子は、予め定められた温度まで安定であり、前記断片は、酸活性結合手によって結合されて前記高分子を形成し、前記高分子は、水又は活性酸素を含んでいない溶媒に可溶性であり、且つ前記の光酸発生器は、露光されると酸を放出する化合物を含むことを特徴とするステップと;前記層の除去すべき領域に重畳する前記フォトレジストの領域を露光光で露光するステップと;前記フォトレジスト層を所定温度で又はそれ以上に加熱するステップと;]前記高分子で覆われていない領域にパターン化されるべき前記層の部分を除去するステップと;残っている高分子を前記溶媒で洗浄して残らず取除くステップとを設けて成る方法。
IPC (4件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/30
, H05B 33/10
, H05B 33/14
G03F 7/039 601
, G03F 7/30
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
