不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172529
公開番号（公開出願番号）：特開平5-210991
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】過剰消去状態のメモリセルが存在しても確実に情報の書込および読出を行なうことのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】負電圧発生回路30を設け、不揮発性半導体記憶装置の情報の書込および読出動作時において非選択ワード線へこの負電圧発生回路30から発生される負電圧を非選択ワード線上へ伝達する。この負電位がメモリセルトランジスタM1のコントロールゲートへ伝達される。このメモリセルトランジスタM1のコントロールゲートへ与えられた負電位は、過剰消去状態のメモリセルであっても確実にそのメモリセルトランジスタをオフ状態に設定する。【効果】過剰消去状態のメモリセルが存在してもその影響をうけることなく確実に情報の書込および読出を行なうことができるため、不揮発性半導体記憶装置の歩留まり向上および不揮発性半導体記憶装置の故障率の大幅な低減が得られる。

請求項（抜粋）：

行列状に配置される複数のメモリセル、前記複数のメモリセルの各々は情報を不揮発的に記憶し、各々に1行のメモリセルが接続される複数のワード線、与えられたアドレスに従って対応のワード線を選択するためのワード線選択手段、および前記ワード線選択手段により選択されたワード線を除く非選択ワード線へ負の電圧を印加する負電圧印加手段を備える、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/02 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 307 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭60-095794
特開昭62-026697
特開平4-276389

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