特許
J-GLOBAL ID:200903027401397281

潜像形成装置及び潜像形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-088530
公開番号(公開出願番号):特開2000-284573
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 高速、高解像度で温度環境及び湿度環境に対して安定した潜像を形成することができる潜像形成方法を提供する。【解決手段】 潜像形成装置は、導電性基体1a上に、光導電性及び強誘電性を有し、予め一方向に分極配向された光導電性強誘電体層1bを設けた像担持体1と、像担持体1に選択的に光線を照射する選択露光手段3とを備える。選択露光手段3の露光により光導電性強誘電体層1bに電荷が発生し、この電荷が分極を低減させる方向に移動することにより、電荷潜像が形成される。
請求項(抜粋):
導電性基体上に光導電性及び強誘電性を有する光導電性強誘電体層を備える像担持体に電圧を印加して、上記光導電性強誘電体層を分極配向させ、上記像担持体に選択的に光を照射して上記光導電性強誘電体層に電荷を発生させ、該電荷が分極を低減させる方向に移動することにより電荷潜像を形成する潜像形成方法。
IPC (2件):
G03G 15/05 ,  G03G 5/02
FI (2件):
G03G 15/00 115 ,  G03G 5/02 Z
Fターム (8件):
2H029DA00 ,  2H029DB01 ,  2H068AA03 ,  2H068AA13 ,  2H068AA20 ,  2H068BA22 ,  2H068BB31 ,  2H068FB31

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