特許

J-GLOBAL ID：200903027409644610

ジルコン酸鉛膜の形成方法

発明者： 梶芳 浩二 ,  浜地 幸生 ,  坂部 行雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334104
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139749
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】 後処理工程を必要とすることなく、かつ、低温の温度条件下で、任意の形状の基材上に均一なジルコン酸鉛(PbZrO3)膜を形成する。【構成】 0.1mol/l 以上の鉛(Pb)イオンまたはサスペンジョンと、0.1mol/l 以上のジルコニウム(Zr)イオンまたはサスペンジョンとを含有し、かつ、pHが14以上のアルカリ性水溶液中に基材を浸漬し、200°C以上の温度で水熱処理を施すことにより、ジルコン酸鉛(PbZrO3)膜を前記基材の表面に形成する。

請求項（抜粋）：

0.1mol/l 以上の鉛(Pb)イオンまたはサスペンジョンと、0.1mol/l 以上のジルコニウム(Zr)イオンまたはサスペンジョンとを含有し、かつ、pHが14以上のアルカリ性水溶液中に基材を浸漬し、200°C以上の温度で水熱処理を施すことにより、ジルコン酸鉛(PbZrO3)膜を前記基材の表面に形成することを特徴とするジルコン酸鉛膜の形成方法。

IPC (2件)：

C01G 25/00 ,  H01B 3/00