特許
J-GLOBAL ID:200903027424366634
SQUID素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-289751
公開番号(公開出願番号):特開2001-111123
出願日: 1999年10月12日
公開日(公表日): 2001年04月20日
要約:
【要約】【課題】 段差型ジョセフソン接合を有するSQUID素子について、素子の低価格化が可能であるとともに、大面積の基板を用いることができるSQUID素子を提供する。【解決手段】 段差部11を有するサファイア基板10上にCeO2バッファ層を介して酸化物超電導薄膜からなる超電導薄膜パターン20を形成し、中心部分に開口部23を有する正方形状の薄膜パターン22の所定の部位を段差部11が横断するように段差部11及び薄膜パターン20を構成する。このとき、段差部11が横断している部位において段差型ジョセフソン接合部26、27が形成されて、SQUIDが得られる。サファイア基板は比較的低価格であり、大面積の基板を用いることができる。
請求項(抜粋):
サファイア基板と、前記サファイア基板上にCeO2バッファ層を介して形成された酸化物超電導薄膜からなり、SQUIDを含む超電導薄膜パターンと、を有し、前記SQUIDのジョセフソン接合部は、前記サファイア基板上に形成された段差部の上に形成される段差型ジョセフソン接合であることを特徴とするSQUID素子。
IPC (2件):
H01L 39/22 ZAA
, G01R 33/035 ZAA
FI (2件):
H01L 39/22 ZAA D
, G01R 33/035 ZAA
Fターム (12件):
2G017AD32
, 2G017AD33
, 2G017AD36
, 4M113AA53
, 4M113AC08
, 4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113AD68
, 4M113BA01
, 4M113BC04
, 4M113CA34
, 4M113CA44
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