特許

J-GLOBAL ID：200903027425489438

白金薄膜,半導体装置及びその製造方法

発明者： 櫛田 恵子 ,  平谷 正彦 ,  鳥居 和功 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  三木 浩史 ,  松井 裕一 ,  藤崎 芳久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028928
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223777
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】強誘電体をキャパシタ絶縁膜に用い、高集積化に好適な微細なメモリを有する半導体装置を提供する。【解決手段】拡散防止用導電層膜61の上に、白金下部電極62、その上に強誘電体薄膜63を設け、白金下部電極62,強誘電体薄膜63等により形成される強誘電体キャパシタにおいて、白金下部電極62には、強誘電体63の構成元素には含まれず、酸化物を形成する元素を添加し、かつこの元素を白金膜粒界に偏析させる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられた白金を主成分とする下部導電膜と、該下部導電膜上に設けられた強誘電体膜と、該強誘電体膜上に設けられた上部導電膜とを有し、上記上部及び下部導電膜と強誘電体膜はキャパシタを構成し、上記下部導電膜は、強誘電体膜構成元素に含まれず、酸化物を形成する元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C