特許

J-GLOBAL ID：200903027426910269

薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： 今 真人
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316405
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123702
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】酸素欠損が生じやすい酸化物半導体の酸素欠損を防止し、安定な薄膜トランジスタとその製造方法を提供してトランジスタ設計の自由度を高めることを目的とする。【解決手段】母体となるZnO、SnO2、In2O3、Zn2SnO4のいずれか1種からなる酸化物半導体Aと、トンネル効果を生じる膜厚以下の膜厚で、且つ酸素原子を有する酸化物層間材Bとを積層した積層物を酸化物半導体を活性層として用いることにより解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

母体となる酸化物半導体Aと、トンネル効果を生じる膜厚以下の膜厚で、且つ酸素原子を有する酸化物層間材Bとを積層した酸化物半導体を活性層として用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A

Fターム (33件)：

5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG20 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33