特許

J-GLOBAL ID：200903027428977514

半導体装置およびその製造方法

発明者： 占部 耕児
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004347
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211242
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上に設けた金属配線と層間絶縁膜の密着性を向上させる。【構成】層間絶縁膜3の上に設けた第1の金属膜4,第2の金属膜5及び金膜6から構成される金属配線を含む表面にスパッタ法を用いてアルミニウム膜7を形成し、プラズマ窒化法を用いて窒化アルミニウム膜8を形成し、その上に酸化シリコン膜9を堆積する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた絶縁膜の上に形成した金属配線と、前記金属配線を含む表面に設けた金属酸化物膜もしくは金属窒化物膜からなる第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に設けた酸化シリコン又は窒化シリコン膜からなる第2の層間絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-101436
  
• 特開昭61-289237